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Application Note 1200
TABLE 6. COMPONENT LIST
REF DES
QTY
VALUE
TOL.
VOLTAGE
PACKAGE
PART NUMBER
MANUFACTURER
DESCRIPTION
C1, C10
C2, C3, C9
C14, C16
C4, C6
C11
C27
2
3
2
2
1
0
0.22μF
10μF
10μF
1μF
4.7μF
OPEN
10%
10%
10%
10%
10%
20%
50V
>6.3V
25V
10V
10V
10V
SM0805
SMD0805
SMD1812
SM0805
SM0805
SMD1210
-
-
-
-
-
-
AVX, Samsung, TDK, Murata Multilayer Capacitor
AVX, Samsung, TDK, Murata Multilayer Capacitor
AVX, Samsung, TDK, Murata X5R Capacitor
AVX, Samsung, TDK, Murata Multilayer Capacitor
AVX, Samsung, TDK, Murata Multilayer Capacitor
AVX, Samsung, TDK, Murata C Series Capacitor
(EIA:CC1210)
C29, C29
2
220μF
20%
4.0V
EIA_CASE_D
EEFUE0G221R
Panasonic
AL POLYMER
C17
C24
C5, C7, C8,
1
1
0
470pF
0.1μF
Open
10%
10%
10%
50V
50V
50V
SM0805
SM0805
SM0805/
-
-
-
AVX, Samsung, TDK, Murata Multilayer Capacitor
AVX, Samsung, TDK, Murata Multilayer Capacitor
AVX, Samsung, TDK, Murata Multilayer Capacitor
C12, C13,
C15, C18,
C23
SM1206
D3
0
Open
-
30V
SOT23
BAT54WT1
On-Semi
30V Schottky
Barrier Diode
D4
1
-
3A
40V
SMA
B340LA
Diodes-Inc
3A Low VF
Schottky Barrier
L1
1
1.0μH
20%
2m Ω
13_5x13_5
SD10L1
Falco
Shielded SMD
HM65-H1R0
C6125-1R0
FDA1254-1R0M
BI
Sumida
Toko
Inductor
Q1
1
-
11A
30V
SOIC8
IRF7821V
IR
30V 8.3A N-Power
MOSFET
Q2
1
-
16A
30V
SOIC8
IRF7811AV
IR
30V 10.8A N-Power
MOSFET
R1, R2, R3,
8
0
1%
150V
0805
-
Generic
Thick Film Chip
R6, R13,
R14
Resistor
R12
1
20k
1%
150V
0805
-
Generic
Thick Film Chip
Resistor
R9
1
56.2k
1%
150V
0805
-
Generic
Thick Film Chip
Resistor
R4, R11
2
100k
1%
150V
0805
-
Generic
Thick Film Chip
Resistor
R16
1
182k
1%
150V
0805
-
Generic
Thick Film Chip
Resistor
R15
1
200k
1%
150V
0805
-
Generic
Thick Film Chip
Resistor
R5, R25
0
Open
1%
150V
0805/1206
-
Generic
Thick Film Chip
Resistor
R8
1
15.8k
1%
150V
0805
-
Generic
Thick Film Chip
Resistor
R10
1
10k
150V
0805
-
Generic
Thick Film Chip
Resistor
SW1-SW5
U1
5
1
-
-
-
-
-
-
DIP06
TQFN
DIP06-SW03
ISL88550A
Grayhill
Intersil
Dip Switch SPST
High Efficiency
Output Rectifier
Controller
4
AN1200.3
July 23, 2008
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